تاثیر میدان الکترومغناطیسی با فرکانس کم (شدت ۵ میلی تسلا و فرکانس ۵۰ هرتز) بر تثبیت و فراخوانی حافظه در موشهای صحرایی نر

سابقه و هدف: خطوط نیرو و تجهیزات برقی خانگی نظیر تلویزیون، کامپیوتر، سشوار از خود میدان الکترومغناطیسی با فرکانس کم ساطع می کنند که می توانند موجب آسیب شوند. باتوجه به افزایش قرارگیری در معرض چنین میدانهای مغناطیسی در سالهای اخیر و اثرات این میدانها بر تشکیل حافظه، این مطالعه به منظور تاثیر این نوع میدانها بر تثبیت و فراخوانی حافظه در موشهای صحرایی نر انجام شد.مواد و روشها: این مطالعه تجربی بر روی 90 موش صحرایی نر با نژاد ویستار که در 9 گروه تقسیم بندی شدند، انجام گردید. گروه کنترل در دستگاه شاتل باکس (دستگاه آموزش اجتنابی غیر فعال) آموزش دیدند، گروه شم، پس از آموزش بلافاصله به مدت4 ساعت در دستگاه مولد میدان الکترومغناطیسی خاموش قرار داده شدند. چهار گروه تست تثبیت حافظه بعد از آموزش به ترتیب به مدت 8 و 6 و 4 و1 ساعت در دستگاه مولد میدان قرار داده شدند. شدت میدان مغناطیسی که موشها در معرض آن قرار گرفتند، معادل 5 میلی تسلا و فرکانس 50 هرتز بود. سه گروه تست فراخوانی حافظه پس از آموزش و تست به ترتیب به مدت 5 و 4و 3 روز متوالی (به مدت 4 ساعت) در دستگاه مولد میدان قرار گرفتند. همه گروهها 24ساعت بعد مجددا تست شدند. در تمامی گروهها مدت زمانی که طول می کشید تا حیوان از ناحیه روشن شاتل باکس به محفظه تاریک وارد شود به عنوان زمان تاخیر اندازه گیری و مورد مقایسه قرار گرفتند. یافته ها: در چهار گروه تست تثببیت حافظه بین گروه اول که یک ساعت در میدان قرارگرفته بودند (76± 485ثانیه) و گروه کنترل (17±583 ثانیه) اختلاف معنی داری وجود نداشت. درحالی که در سه گروه دیگر که به ترتیب 8 و6و4 ساعت در میدان قرار گرفته بودند (17±303، 87±294 و 72±191 ثانیه) اختلاف با گروه کنترل معنی دار بود (05/0>p). بین گروه شم (58±8/541 ثانیه) باگروهی که به مدت 4 ساعت در میدان الکترو مغناطیسی قرار داده شده بودند (17±303 ثانیه) اختلاف معنی دار بود (05/0>p). نتایج بدست آمده از سه گروه تست فراخوانی حافظه نشان داد که بین نتایج قبل (37±572 و 8/54±580، 4/51±585 ثانیه) و بعد از قرارگیری مزمن در میدان به ترتیب 5 و 4 و 3 روز متوالی (42±563، 8/54±2/545، 4/51±6/548 ثانیه) اختلاف معنی داری نداشت. نتیجه گیری: نتایج مطالعه نشان داد که قرارگیری در معرض میدان مغناطیسی با فرکانس کم به صورت حاد قادر به جلوگیری از تثبیت حافظه است اما تاثیری بر فراخوانی حافظه ندارد.